[发明专利]二维导电金属有机化合物阵列、制备方法和应用有效
申请号: | 201910800630.X | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110586190B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 陈胜;孙运通;朱俊武;蒋丽丽;汪信 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C25B11/031 | 分类号: | C25B11/031;C25B11/061;C25B11/085;C25B11/091;C25B1/04 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维导电金属有机化合物阵列材料、制备方法和应用,它包括作为载体的三维基底,及其在三维基底上生长的二维导电金属有机化合物纳米片,其中,当三维基底为泡沫镍时,导电纳米片为镍、镍铁、镍锰、镍钴、镍钽和2,5‑噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片;当三维基底为泡沫铁时,导电纳米片为镍铁、铁锰、铁钴、铁铋和2,5‑噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片;当三维基底为泡沫铜时,导电纳米片为铜铋和2,5‑噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片。该阵列具有优良的导电性和规则排列的二维阵列结构,可以有效地进行电荷和物质传输,从而在能源、催化等领域中具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 二维 导电 金属 有机化合物 阵列 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种二维导电金属有机化合物阵列,其特征在于,它包括作为载体的三维基底,及其在三维基底上生长的二维导电金属有机化合物纳米片,其中,/n当三维基底为泡沫镍时,导电纳米片为镍、镍铁、镍锰、镍钴、镍钽和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片;/n当三维基底为泡沫铁时,导电纳米片为镍铁、铁锰、铁钴、铁铋和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片;/n当三维基底为泡沫铜时,导电纳米片为铜铋和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片。/n
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