[发明专利]一种氧化镓基场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910802269.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110473906A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;张君敬;常晶晶;林珍华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 61223 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐云侠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓基场效应晶体管，属于半导体电子技术领域，包括衬底，所述衬底上部设有绝缘层，所述绝缘层上部设有氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层，两端的所述二维层状材料界面修饰层上部分别设有源漏区电极，所述氧化镓沟道层上部在两个所述源漏区电极之间设有介质层，所述介质层上部设有栅电极；本发明设有二维层状材料界面修饰层，克服了现有技术的金属直接与氧化镓沟道层接触使得接触特性受表面氧悬挂键影响且接触电阻较大的问题，使得本发明的氧化镓基场效应晶体管具有较低的电极接触电阻，较高的载流子注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 沟道层 层状材料 界面修饰 二维 绝缘层 场效应晶体管 介质层 源漏区 电极 衬底 载流子注入效率 电极接触电阻 半导体电子 接触电阻 接触特性 表面氧 悬挂键 栅电极 金属 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓基场效应晶体管，包括衬底(1)，所述衬底(1)上部设有绝缘层(2)，所述绝缘层(2)上部设有氧化镓沟道层(3)，所述氧化镓沟道层(3)上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层(4)，两端的所述二维层状材料界面修饰层(4)上部分别设有源漏区电极(5)，所述氧化镓沟道层(3)上部在两个所述源漏区电极(5)之间设有介质层(6)，所述介质层(6)上部设有栅电极(7)。/n
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