[发明专利]GaN基发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910802595.5 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110581205A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;卢国军 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 傅康 |
| 地址： | 200135 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上，电子阻挡层包括位于发光层上的GaN层和依次叠设于GaN层上的第一至第三层InAlGaN层，其中，GaN层和第三层InAlGaN层未掺杂，第一层InAlGaN层具有P型掺杂，第二层InAlGaN层具有硅掺杂；及P型外延层，位于电子阻挡层上。上述发光二极管外延结构，其通过设置具有多层结构的电子阻挡层，能够有效阻挡电子的迁移，还能为发光层输送更多的空穴，使得更多的电子和空穴在发光层复合发光，从而提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光层 电子阻挡层 空穴 外延结构 第三层 衬底 发光二极管外延结构 发光二极管 多层结构 发光效率 复合发光 第一层 硅掺杂 未掺杂 叠设 制备 迁移 阻挡 申请 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：/n衬底；/nN型外延层，位于所述衬底上；/n发光层，位于所述N型外延层上；/n电子阻挡层，位于所述发光层上，所述电子阻挡层包括位于所述发光层上的GaN层和依次叠设于所述GaN层上的第一至第三层InAlGaN层，其中，所述GaN层和所述第三层InAlGaN层未掺杂，所述第一层InAlGaN层具有P型掺杂，所述第二层InAlGaN层具有硅掺杂；及/nP型外延层，位于所述电子阻挡层上。/n
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