[发明专利]氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910802725.5 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447497A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张黎 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件。该氧化层形成方法可包括：提供半导体衬底；基于第一加热温度和第一压力对所述半导体衬底进行第一次热氧化处理，以在所述半导体衬底上形成第一子氧化层；基于第二加热温度和第二压力对所述半导体衬底进行第二次热氧化处理，以在所述第一子氧化层上形成第二子氧化层；其中，所述第二加热温度小于所述第一加热温度，所述第一压力小于或大于所述第二压力。该方案能够提高氧化层的质量和均匀性，以提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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