[发明专利]一种太阳能电池片及其制作方法

摘要

本申请公开了太阳能电池片的制作方法，包括：在第一温度和预设压强下，在表面具有损伤层的硅片的表面形成二氧化硅层，得到处理后硅片；将处理后硅片在第二温度下恒温预设时间，并进行冷却处理，得到冷却后硅片；去除位于冷却后硅片的表面的二氧化硅层和损伤层，得到硅片基体；在硅片基体的上表面形成扩散层；在扩散层的上表面形成隧穿层；在硅片基体的下表面形成钝化层；在钝化层的下表面形成氮化硅层；在隧穿层的上表面形成减反层；分别在减反层的上表面、氮化硅层的下表面形成电极。本申请中的方法使硅片基体中杂质含量明显减少，提高少子寿命，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池。

主权项

1.一种太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：在第一温度和预设压强下，在表面具有损伤层的硅片的表面形成二氧化硅层，得到处理后硅片；将所述处理后硅片在第二温度下恒温预设时间，并进行冷却处理，得到冷却后硅片；去除位于所述冷却后硅片的表面的所述二氧化硅层和所述损伤层，得到硅片基体；在所述硅片基体的上表面形成扩散层；在所述扩散层的上表面形成隧穿层；在所述硅片基体的下表面形成钝化层；在所述钝化层的下表面形成氮化硅层；在所述隧穿层的上表面形成减反层；分别在所述减反层的上表面、所述氮化硅层的下表面形成电极。