[发明专利]芴并吩嗪衍生物及其制备方法与OLED器件在审
| 申请号： | 201910802835.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110526874A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 罗佳佳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C07D241/38 | 分类号： | C07D241/38;C07D403/10;C07D401/10;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芴并吩嗪衍生物，通过特定得到官能团搭配，将具有优良空穴传输性能的芴基并上吩嗪基团，再键连以芳胺基团，设计出具有高迁移率的空穴传输材料，以此制备的OLED器件具有优异的电流效率与外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴传输材料 空穴传输性能 吩嗪衍生物 外量子效率 电流效率 芳胺基团 高迁移率 吩嗪 芴基 制备 搭配 | ||
【主权项】：
1.一种芴并吩嗪衍生物，其特征在于，所述芴并吩嗪衍生物具有通式(1)所示的结构：/n
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