[发明专利]平面栅MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201910804058.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447842A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 邱凯兵;杨涛涛;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种平面栅MOSFET及其制造方法，属于半导体领域，既能提高绝缘栅介质层的可靠性，又能减小平面栅MOSFET的比导通电阻。一种平面栅MOSFET，该平面栅MOSFET包括绝缘栅介质层以及位于所述绝缘栅介质层下方的掺杂区，其中，所述掺杂区是有效掺杂浓度变化的变掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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