[发明专利]具有截止环结构的功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910805687.9 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110544725A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有截止环结构的功率半导体器件，包括半导体基板，元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于元胞区的外圈且环绕元胞区设置；位于终端保护区的第二导电类型体区内环绕第二类沟槽的外围设置有截止环结构；截止环结构包括第三类沟槽、第四类沟槽和截止环金属，第三类沟槽和第四类沟槽的沟槽底部均伸入第一导电类型外延层内，截止环金属位于第三类沟槽和第四类沟槽的上方，且截止环金属能够通过第四类沟槽伸入第一导电类型外延层内。本发明还公开了一种具有截止环结构的功率半导体器件的制作方法。本发明提供的具有截止环结构的功率半导体器能够提高功率半导体器件的截止能力，阻止器件漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 截止环 功率半导体器件 元胞区 第一导电类型 半导体基板 终端保护区 外延层 金属 伸入 环绕 半导体技术领域 功率半导体 漏电 导电类型 中心区 截止 外围 制作 | ||
【主权项】：
1.一种具有截止环结构的功率半导体器件，包括半导体基板，所述半导体基板被划分为元胞区和终端保护区，所述元胞区位于所述半导体基板的中心区，所述终端保护区位于所述元胞区的外圈且环绕所述元胞区设置，其特征在于，所述半导体基板包括第一导电类型衬底和位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的表面设置有第二导电类型体区；/n位于所述元胞区的所述第二导电类型体区内设置有第一类沟槽，所述第一类沟槽的沟槽底部伸入所述第一类导电类型外延层内；/n位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内靠近所述元胞区的位置设置有至少一根第二类沟槽；/n位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内环绕所述第二类沟槽的外围设置有截止环结构；/n所述截止环结构包括第三类沟槽、第四类沟槽和截止环金属，所述第三类沟槽和所述第四类沟槽的沟槽底部均伸入所述第一导电类型外延层内，所述第三类沟槽位于所述终端保护区靠近所述元胞区的一侧，且环绕所述第二类沟槽设置，所述第四类沟槽位于所述终端保护区远离所述元胞区的一侧，且位于所述第二类沟槽的拐角位置，所述截止环金属位于所述第三类沟槽和所述第四类沟槽的上方，且所述截止环金属能够通过所述第四类沟槽伸入所述第一导电类型外延层内。/n
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