[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201910805763.6 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110690257A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀;黄志杰;苏智昱 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 35214 福州市博深专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及阵列基板技术领域，特别涉及一种TFT阵列基板及其制造方法，通过将有源层设置在第一漏极金属层和第一钝化层之间，能够避免有源层受到第一漏极金属层成膜以及蚀刻制程破坏形成共面型的TFT结构；通过在第一源极绝缘层上设置第一过孔，栅极绝缘层上设置第二过孔，第二过孔与第一过孔相对设置且相通，第一过孔和第二过孔中均填充有源层，可以缩短薄膜晶体管沟道制程的临界尺寸从而达到缩小整体器件的占用面积，能够有效提高阵列基板抗弯折能力，而且还能够降低画素面积和显示面板边框尺寸，更适合应用在高解析度柔性面板中。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 漏极金属层 阵列基板 绝缘层 薄膜晶体管沟道 边框 栅极绝缘层 高解析度 柔性面板 蚀刻制程 显示面板 相对设置 整体器件 钝化层 抗弯折 面积和 成膜 画素 面型 源极 制程 填充 相通 占用 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括第一玻璃基板，在所述第一玻璃基板表面上依次层叠设有第一柔性衬底、第一水氧阻隔层、第一缓冲层、第一源极金属层、第一源极绝缘层、栅极金属层、栅极绝缘层、第一漏极金属层、有源层和第一钝化层；/n所述第一源极绝缘层上设有第一过孔，所述栅极绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且相通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有所述有源层，所述第一过孔中填充的有源层与所述第一源极金属层接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
