[发明专利]一种改善LED芯片制造良率的方法有效
| 申请号： | 201910806743.0 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112447890B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王梦雪;吴向龙;闫宝华;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种改善LED芯片制造良率的方法，本方案首先进行晶片外延层的生长，紧接着在第二高掺p‑GaP窗口层上腐蚀形成裸露区，再沉积氧化物薄膜；接着在外延层表面蒸镀ITO膜，继续进行P面电极、N面电极的制作，最后在P面电极表面蒸镀保护膜，再进行切割，切割后通过热水超声去除保护膜，最后将芯片清洗、扩膜，形成独立单个芯粒；本发明不仅有效实现了LED芯片的制备，提高了芯片发光效果，而且晶片表面交替生长MgF |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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