[发明专利]集成无源耦合器和方法在审
申请号: | 201910807003.9 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110867442A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 奥利弗·泰森 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/64;H04B3/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路包括半导体衬底和位于所述衬底上的无源耦合器。所述耦合器包括螺线管。所述耦合器还包括穿过所述螺线管的信号线。一种制造集成电路的方法。所述方法包括提供半导体衬底并在所述衬底上的金属化堆叠中形成无源耦合器。在所述衬底上的所述金属化堆叠中形成所述无源耦合器包括使用所述金属化堆叠的多个金属层中的图案化金属特征形成所述螺线管的一个或多个绕组。在所述衬底上的所述金属化堆叠中形成所述无源耦合器还包括使用所述金属化堆叠的一个或多个金属层中的一个或多个图案化金属特征形成信号线。所述信号线穿过所述螺线管。 | ||
搜索关键词: | 集成 无源 耦合器 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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