[发明专利]平面多电子注激励石墨烯亚波长集成光栅的太赫兹辐射源有效
| 申请号： | 201910807115.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110571626B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘文鑫;郭鑫;赵超;张兆传;张志强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S1/00 | 分类号： | H01S1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种平面多电子注激励石墨烯亚波长集成光栅的太赫兹辐射源及其应用，该太赫兹辐射源包括外壳，用于保护所述太赫兹辐射源；电子枪阴极，其设置在外壳开口的一侧，用于发射多电子注；光栅结构，其设置在外壳内部且表面设有石墨烯层，石墨烯层表面等离子体激元与多电子注进行互作用产生太赫兹辐射；隔板，其设置在相邻的两个电子注之间，用于隔离电子注；以及输出端口，其设置在外壳上，用于输出太赫兹辐射。本发明从根本上增强电子注与集成高频系统的耦合作用，提升注‑波互作用效率，解决真空电子器件向太赫兹波段发展时所面临互作用效率低输出功率的难题并能大幅度提高太赫兹辐射源的输出功率，有利于工程制管的加工和高功率太赫兹源的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 电子 激励 石墨 波长 集成 光栅 赫兹 辐射源 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯亚波长集成光栅的太赫兹辐射源，包括：/n外壳，用于保护所述太赫兹辐射源；/n电子枪阴极，其设置在外壳开口的一侧，用于发射多电子注；/n光栅结构，其设置在外壳内部且表面设有石墨烯层，石墨烯层表面等离子体激元与多电子注进行互作用产生太赫兹辐射；/n隔板，其设置在相邻的两个电子注之间，用于隔离电子注；以及/n输出端口，其设置在外壳上，用于输出太赫兹辐射。/n
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