[发明专利]一种具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构在审
| 申请号： | 201910808519.5 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110675905A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 吴秀龙;张曙光;蔺智挺;彭春雨;卢文娟;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 11260 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，包括十个NTFET晶体管和两个PTFET晶体管，十个NTFET晶体管依次记为N1～N10，两个PTFET晶体管分别记为P1、P2，电源VDD与NTFET晶体管N7及NTFET晶体管N8的漏极电连接；PTFET晶体管P1的漏极与NTFET晶体管N1的漏极、NTFET晶体管N2的栅极、NTFET晶体管N4的栅极、NTFET晶体管N5的漏极、NTFET晶体管N7的栅极以及PTFET晶体管P2的栅极电连接。该电路结构在不改变外部读写控制电路的情况下，提高了传统TFET SRAM单元结构的读、写和保持能力，提高了SRAM单元的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 漏极 电路结构 电连接 读写控制电路 高稳定性 电源 外部 | ||
【主权项】：
1.一种具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，其特征在于，所述电路结构包括十个NTFET晶体管和两个PTFET晶体管，十个NTFET晶体管依次记为N1～N10，两个PTFET晶体管分别记为P1、P2，其中：/n电源VDD与NTFET晶体管N7及NTFET晶体管N8的漏极电连接，同时电源VDD也与PTFET晶体管P1的源极以及PTFET晶体管P2的源极电连接；/nPTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N1的漏极、NTFET晶体管N2的栅极、NTFET晶体管N4的栅极、NTFET晶体管N5的漏极、NTFET晶体管N7的栅极以及PTFET晶体管P2的栅极电连接；/nPTFET晶体管P2的漏极，与PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N1的栅极、NTFET晶体管N2的漏极、NTFET晶体管N3的栅极、NTFET晶体管N6的漏极、NTFET晶体管N8的栅极以及NTFET晶体管N10的栅极电连接；/nNTFET晶体管N7的源极，与NTFET晶体管N1的源极以及NTFET晶体管N3的漏极电连接；/nNTFET晶体管N8的源极，与NTFET晶体管N2的源极以及NTFET晶体管N4的漏极电连接；/nNTFET晶体管N9的源极与NTFET晶体管N10的漏极电连接；/nNTFET晶体管N3的源极、NTFET晶体管N4的源极以及NTFET晶体管N10的源极与GND电连接。/n
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