[发明专利]一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910808714.8 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110501385A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 侯思辉;庄昕明;张晓华;高林;于军胜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人： | 轩勇丽<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器及其制备方法，所述二氧化氮传感器为顶栅顶接触式结构，包括从下到上依次设置的衬底、有机半导体层、支撑膜和栅电极，所述有机半导体层、支撑膜和栅电极围合形成介电层，所述介电层在支撑膜作用下由外界环境空气形成空气介电层，在所述空气介电层内且在有机半导体层上表面上分别设置有源电极和漏电极。与传统有机薄膜晶体管二氧化氮传感器相比，空气介电层的引入避免了二氧化氮在半导体薄膜中缓慢的扩散过程，使得待测气体直接与半导体层沟道相互作用，从而实现了更快的响应回复速度以及高的探测率。 | ||
| 搜索关键词： | 空气介电层 二氧化氮传感器 有机半导体层 支撑膜 有机薄膜晶体管 介电层 栅电极 外界环境空气 半导体薄膜 接触式结构 半导体层 待测气体 二氧化氮 依次设置 漏电极 上表面 探测率 源电极 衬底 顶栅 沟道 围合 制备 回复 扩散 响应 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器，所述二氧化氮传感器为顶栅顶接触式结构，包括从下到上依次设置的衬底、有机半导体层、支撑膜和栅电极，其特征在于，所述有机半导体层、支撑膜和栅电极围合形成介电层，所述介电层在支撑膜作用下由外界环境空气形成空气介电层，在所述空气介电层内且在有机半导体层上表面上分别设置有源电极和漏电极。/n
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