[发明专利]栅约束硅控整流器ESD器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法，通过将现有的新型栅约束硅控整流器ESD器件的肖特基结去掉，并替换为低浓度P型轻掺杂(22)，将该低浓度P型轻掺杂(22)与高浓度N型掺杂(24)相邻接，并且该低浓度P型轻掺杂(22)与高浓度N型掺杂(24)上表面一起形成金属硅化物，并连接至该新型栅约束硅控整流器ESD器件的阴极，可在提升维持电压的同时，简化制造工艺，降低因引入肖特基结的界面缺陷，并降低其接触电阻。

主权项

1.一种新型栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于，所述ESD器件包括：/n半导体衬底(80)；/n生成于所述半导体衬底(80)中的N阱(60)和P阱(70)；/n高浓度N型掺杂(28)、高浓度P型掺杂(20)置于N阱(60)上部，低浓度P型轻掺杂(22)、高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于所述P阱(70)上部，所述低浓度P型轻掺杂(22)一侧与所述高浓度N型掺杂(24)一侧相邻接，其另一侧为所述P阱(70)的一部分；/n在所述高浓度N型掺杂(28)的上方、高浓度P型掺杂(20)的上方、低浓度P型轻掺杂(22)与所述高浓度N型掺杂(24)相邻的部分及所述高浓度N型掺杂(24)的上方、高浓度P型掺杂(26)的上方分别生成金属硅化物(30)，/n所述高浓度N型掺杂(28)上方的金属硅化物(30)引出电极连接至连接电源，所述高浓度P型掺杂(20)上方的金属硅化物(30)引出电极作为所述新型栅约束硅控整流器ESD器件的阳极，所述低浓度P型轻掺杂(22)上方与所述高浓度N型掺杂(24)的上方的金属硅化物(30)与所述高浓度P型掺杂(26)上方的金属硅化物(30)相连并引出电极组成所述新型栅约束硅控整流器ESD器件的阴极。/n