[发明专利]一种新型栅控P-i-N二极管ESD器件及其实现方法有效
| 申请号： | 201910808934.0 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110504325B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L27/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型栅控P‑i‑N二极管ESD器件及其实现方法，所述ESD器件包括：背栅(40)；形成于背栅(40)上的绝缘埋层(30)；在所述绝缘埋层(30)上依次排列形成的浅沟道隔离层(10)、高浓度P型掺杂(20)、P阱(70)、高浓度N型掺杂(22)、浅沟道隔离层(12)；形成于所述P阱(70)的左上方的栅氧化层(50)；形成于所述栅氧化层(50)上方的前栅(24)，本发明的前栅只需直接和阳极相连，无需连接至特殊设计的静电脉冲侦测电路，背栅只需接地即可，可降低防静电保护设计的复杂度，减少版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 二极管 esd 器件 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型栅控P-i-N二极管ESD器件，其特征在于，所述ESD器件包括：/n背栅(40)；/n形成于背栅(40)上的绝缘埋层(30)；/n在所述绝缘埋层(30)上依次排列形成的浅沟道隔离层(10)、高浓度P型掺杂(20)、P阱(70)、高浓度N型掺杂(22)、浅沟道隔离层(12)；/n形成于所述P阱(70)的左上方的栅氧化层(50)；/n形成于所述栅氧化层(50)上方的前栅(24)。/n
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