[发明专利]一种晶片激光加工系统有效
| 申请号： | 201910810775.8 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110465751B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 成奎栋 | 申请（专利权）人： | 伊欧激光科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00;B23K26/364;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 乔浩刚 |
| 地址： | 215217 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片激光加工系统，包括晶片和对晶片进行激光加工的激光划线装置；激光划线装置包括分别设置于晶片上下两侧的第一激光头和第二激光头，第一激光头在晶片上表面出射沿第一加工线运动的第一激光束以形成第一沟槽，第二激光头在晶片下表面出射沿第二加工线运动的第二激光束以形成第二沟槽；还包括缺陷检测装置，缺陷检测装置包括布置于晶片上下两侧的第一相机、第二相机和处理模块，第一相机获取晶片加工后的上表面图像，第二相机获取晶片加工后的下表面图像，处理模块用于根据获取的上表面图像和下表面图像检测晶片的表面缺陷。本发明能够在激光加工后对晶片表面缺陷进行检测，有助于进一步提高生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 激光 加工 系统 | ||
【主权项】：
1.一种晶片激光加工系统，其特征在于，包括晶片和对所述晶片进行激光加工的激光划线装置，所述晶片包括半导体基板和设与所述半导体基板上表面的若干元器件，所述晶片的上表面设有用于分隔若干元器件的第一加工线，所述晶片的下表面设有与所述第一加工线对称的第二加工线；所述激光划线装置包括分别设置于所述晶片上下两侧的第一激光头和第二激光头，所述第一激光头在晶片上表面出射沿所述第一加工线运动的第一激光束以形成第一沟槽，所述第二激光头在所述晶片下表面出射沿所述第二加工线运动的第二激光束以形成第二沟槽；/n所述加工系统还包括缺陷检测装置，所述缺陷检测装置包括布置于所述晶片上下两侧的第一相机、第二相机和处理模块，所述第一相机获取晶片加工后的上表面图像，所述第二相机获取晶片加工后的下表面图像，所述处理模块用于根据获取的上表面图像和下表面图像检测晶片的表面缺陷。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
