[发明专利]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池在审
申请号: | 201910811358.5 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110492002A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 赖怡;王璞;王岚;张忠文;谢毅 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0725;H01L31/18 |
代理公司: | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人: | 谢建<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池,属于太阳能电池技术领域,目的在于克服现有技术中的不足之处,提供一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池,其采用顶部宽带隙1.5‑2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合,充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部,正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压,增加了发电量。本发明适用于太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 背接触 钙钛矿 异质结 掺杂 叠层太阳电池 太阳能电池技术 异质结太阳电池 光电转换效率 太阳能电池 电极设置 开路电压 太阳光谱 阴影遮挡 宽带隙 窄带隙 叠层 硅基 发电量 | ||
【主权项】:
1.一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池,其特征在于,包括从上到下依次设置的顶部电池和底部电池,顶部电池为钙钛矿太阳电池,钙钛矿太阳电池包括从上到下依次设置的透明导电氧化物层(1)、空穴传输层(2)、钙钛矿光吸收层(3)、电子传输层(4),底部电池为背接触无掺杂异质结太阳电池,背接触无掺杂异质结太阳电池包括从上到下依次设置的与钙钛矿太阳电池连接的透明导电氧化物复合层(5)、减反射层(6)、n-型硅衬底层(7),n-型硅衬底层(7)底部设置有p型空穴选择层(8)、n型电子选择层(9),p型空穴选择层(8)和n型电子选择层(9)底部设置有金属电极层(10)。/n
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