[发明专利]一种PID抗性高的PERC电池组件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种PID抗性高的PERC电池组件及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括衬底层，衬底层顶面从下到上依次设置有扩散层、SiOx正钝化层和SixNy正减反钝化保护膜层，衬底层底面从上到下依次设置有SiOx背钝化层、AlOx背钝化膜层和SixNy背减反钝化保护膜层，其特征在于，SixNy正减反钝化保护膜层的厚度为75‑95nm，其折射率为2.08‑2.13，SixNy背减反钝化保护膜层的厚度为90‑160nm，SixNy背减反钝化保护膜层的膜层数量为至少2层，且距离衬底层最近一层的折射率≥2.1，AlOx背钝化膜层的厚度为2‑28nm，AlOx背钝化膜层的折射率为1.56‑1.76，本发明通过优化电池组件排布及各层组件厚度和折射率，优化制备工艺，制得的电池抗PID性能高。

主权项

1.一种PID抗性高的PERC电池组件，包括衬底层(1)，其特征在于，衬底层(1)顶面从下到上依次设置有扩散层(2)、SiOx正钝化层(3)和SixNy正减反钝化保护膜层(4)，衬底层(1)底面从上到下依次设置有SiOx背钝化层(6)、AlOx背钝化膜层(7)和SixNy背减反钝化保护膜层(8)，SixNy正减反钝化保护膜层(4)的厚度为75-95nm，其折射率为2.08-2.13，SixNy背减反钝化保护膜层(8)的厚度为90-160nm，SixNy背减反钝化保护膜层(8)的膜层数量为至少2层，且距离衬底层(1)最近一层的折射率≥2.1，AIOx背钝化膜层(7)的厚度为2-28nm，AIOx背钝化膜层(7)的折射率为1.56-1.76。/n