[发明专利]一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺有效
| 申请号： | 201910815065.4 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110690319B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;黄辉巍;江建楷 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州知融专利代理事务所(普通合伙) 32302 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺，包括以下步骤，1)进舟；2)升温；3)炉管抽真空并检漏；4)氧化；5)恒温退火，在压力100‑150mbar，温度680‑710℃下维持15‑20min的退火并通入氮气5000‑10000sccm；6)降温退火，在压力100‑150mbar，温度620‑650℃下维持15‑20min的退火并通入氮气10000‑20000sccm；7)充气回压；8)出舟，结束工艺。本发明将常压氧化退火改为低压氧化退火，并在退火过程中采用恒温退火以及降温退火，使得工艺过程中的气体氛围能够被精确控制，退火环境洁净也得到提高，使得电池片效率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 单晶硅 电池 氧化 退火 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺，其特征在于：包括以下步骤，/n1)进舟，炉管进舟后温度设定530～580℃，通入氮气10000-20000sccm，压力800～1100mbar，维持3～8min；/n2)升温，温度设定680-710℃，通入氮气10000-20000sccm，压力800～1100mbar，维持10-15min；/n3)炉管抽真空并检漏，温度680～710℃，压力100-150mbar，并在初始压力100-150mbar条件下漏率小于5mbar/min；/n4)氧化，在压力100-150mbar，温度680-710℃下维持5-8min的氧化，氧化过程通入氮气5000-8000sccm，氧气500-1000sccm；/n5)一次退火，在压力100-150mbar，温度680-710℃下维持15-20min的退火并通入氮气5000-10000sccm；/n6)二次退火，在压力100-150mbar，温度620-650℃下维持15-20min的退火并通入氮气10000-20000sccm；/n7)充气回压，充氮气回至常压800～1100mbar；/n8)出舟，结束工艺。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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