[发明专利]一种直写式光刻机曝光方法有效
| 申请号： | 201910815604.4 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110597019B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 赵美云 | 申请（专利权）人： | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 奚华保 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种直写式光刻机曝光方法，属于半导体光刻机图形图像处理技术领域，包括在曝光前，设定曝光模式为N排M列DMD模式，划分每个DMD对应的曝光区域，任意一排DMD曝光图形的总宽度为直写光刻版图的宽度，任意一列DMD曝光图形的总高度为直写光刻版图的高度；利用各DMD进行曝光处理，并输出对应的光刻版图曝光图形；将每个DMD与直写式精密平台进行匹配，将光刻版图呈现在曝光的基底上。本发明利用多排DMD对光刻版图进行曝光区域划分，减少了单次曝光的时间，大幅度提升产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直写式 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直写式光刻机曝光方法，其特征在于，包括：/n在曝光前，设定曝光模式为N排M列DMD曝光模式，其中M、N均为自然数且M＞0，N＞1；/n对每个DMD的中心位置进行标定，得到每个DMD相对于坐标原点的位置信息；/n根据每个DMD的位置信息，确定每个DMD对应的曝光区域，其中任意一排DMD曝光图形的总宽度为直写光刻版图的宽度，任意一列DMD曝光图形的总高度为直写光刻版图的高度；/n利用各DMD进行曝光处理，并输出对应的光刻版图曝光图形；/n将每个DMD与直写式精密平台进行匹配，将光刻版图呈现在曝光的基底上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥芯碁微电子装备股份有限公司，未经合肥芯碁微电子装备股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910815604.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于等分因子的直写式光刻机曝光方法
- 下一篇：一种非接触式超声清洗设备
