[发明专利]高可靠性多晶硅组件在审
| 申请号： | 201910816306.7 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875243A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·M·希金斯;亨利·利茨曼·爱德华兹;吴小菊;沙力克·艾尔沙德;王丽;乔纳森·菲利普·戴维斯;泰瑟加塔·查特吉 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/085 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露涉及一种包括高可靠性多晶硅组件的集成电路及其制造方法。本发明提供一种电子装置，例如集成电路(100)。所述IC包含半导体衬底(101)，所述半导体衬底(101)包括第一导电类型的第一经掺杂层(108)。所述第一导电类型的第二经掺杂层(132)位于所述第一经掺杂层内。所述第二经掺杂层具有掺杂剂浓度比所述第一经掺杂层大的第一层部分及第二层部分(124)，其中所述第一层部分与所述第二层部分相对于所述衬底的表面横向间隔开。所述集成电路进一步包含所述第一经掺杂层的经轻掺杂部分，所述经轻掺杂部分位于所述第一层部分与所述第二层部分之间。介电隔离结构(180)位于所述第一层部分与所述第二层部分之间且直接接触所述经轻掺杂部分。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 多晶 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
