[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910818893.3 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447679A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 曾丹;史波;刘勇强;敖利波;陈道坤;肖婷 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 519070 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：栅极结构和多个元胞结构；栅极结构包括电阻区和接线区，接线区设有连接金属层，元胞结构的栅极与接线区的连接金属层电连接；电阻区包括电阻走线、和沿电阻走线的延伸方向分布的多个连接焊盘，每一个连接焊盘与电阻走线电连接，以将电阻走线分隔为相互串联的多段电阻。本申请公开的功率半导体器件，将外部电阻集成到栅极结构上，从而降低IGBT和MOSFET器件栅极的电压操控难度，提高精准性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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