[发明专利]具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有低比导通电阻的槽型器件及制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧化层，第四介质氧化层，控制栅多晶硅电极、分离栅多晶硅电极；本发明充分发掘深槽结构的三维耗尽能力，提出在z方向具有深槽和浅槽交替分布的槽型器件结构，利用深槽对额外的第一导电类型漂移区进行耗尽，保持器件耐压的稳定，同时，额外的第一导电类型漂移区在开态时为器件提供了更多的导电通路，减小器件的比导通电阻。

主权项

1.一种具有低比导通电阻的槽型器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底(152)，第一导电类型漂移区(111)，第一导电类型源极接触区(151)，第二导电类型阱区(122)，第二导电类型源端接触区(121)，源极金属接触(130)，第一介质氧化层(141)，第二介质氧化层(142)，第三介质氧化层(143)，第四介质氧化层(144)，控制栅多晶硅电极(131)、分离栅多晶硅电极(132)；第一导电类型漂移区(111)位于第一导电类型衬底(152)上方，第二导电类型阱区(122)位于第一导电类型漂移区(111)上方，第一导电类型源极接触区(151)位于第二导电类型阱区(122)上方，源极金属接触(130)将第二导电类型源端接触区(121)和第一导电类型源极接触区(151)短接；由第一介质氧化层(141)、第二介质氧化层(142)、第三介质氧化层(143)、第四介质氧化层(144)和控制栅多晶硅电极(131)、分离栅多晶硅电极(132)组成的槽型结构位于第一导电类型衬底(152)和第一导电类型漂移区(111)的两侧，其中第一介质氧化层(141)、第二介质氧化层(142)、第三介质氧化层(143)包围着控制栅多晶硅电极(131)，第三介质氧化层(143)、第四介质氧化层(144)包围着分离栅多晶硅电极(132)，第三介质氧化层(143)位于控制栅多晶硅电极(131)和分离栅多晶硅电极(132)的中间；所述槽型结构分为深槽结构(170)以及Z方向相邻深槽结构(170)之间的浅槽结构，二者在Z方向交替分布，Z方向为每一列槽型结构的延伸方向；深槽结构(170)与浅槽结构的区别在于：深槽结构(170)的第四介质氧化层(144)和分离栅多晶硅电极(132)的深度，分别大于浅槽结构的第四介质氧化层(144)和分离栅多晶硅电极(132)的深度。