[发明专利]一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910821464.1 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110373636B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 任卫;朱楠楠;张永超;杨朝宁;杨炎翰;李璐;姚国光;商世广 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 竺栋 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅化钼 过渡 金属 化合物 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜。
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