[发明专利]多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法有效
| 申请号： | 201910821893.9 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110571151B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 马鸣明;张伟光 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；继续生长多晶硅层，并调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。通过氯化氢气体，在一预设温度范围内消耗掉所述氧化硅层，然后二次生长(补偿)得到预设生长厚度(最终的)的多晶硅层，使多晶硅层中没有引入氧化硅层和较高热量，二次生长得到预设生长厚度的多晶硅层与未中断(一次性制作)的多晶硅层质量相同，解决了多晶硅层生长过程一旦发生异常被中断，多晶硅层的厚度达不到预设厚度，产品只能报废的问题，提高闪存的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制作方法 闪存 及其 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅层的制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，其特征在于，包括：/n通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；/n继续生长多晶硅层，调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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