[发明专利]一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法

摘要

本发明公开了一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、蓝膜切割和裂片；三、制作背面及侧面保护层；四、形成扇出结构。本发明为高密度集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝，在环氧树脂层上形成扇出结构，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程。本发明适用于半导体器件封装技术领域。

主权项

1. 一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n一、制作正面保护层/n将已经制作好的、含有若干个芯片的晶圆的正面进行镍金化镀以加厚电极表面的金属镀层，然后将晶圆正面涂上环氧树脂，制成晶圆的正面保护层；/n二、蓝膜切割和裂片/n使用贴膜机对含有若干个芯片的晶圆的正面及背面进行贴膜，然后对晶圆进行切割和裂片，形成单体芯片；/n三、制作背面及侧面保护层/n将所有单体芯片的背面朝上置于涂有胶膜层的第二载体上，在单体芯片的背面以及它们之间的间隙中填充环氧树脂，制作形成单体芯片的背面及侧面保护层，得到含有若干个单体芯片的重构芯片；/n四、形成扇出结构/n在重构芯片的环氧树脂层上制作扇出结构，使用磨片机对重构芯片的正面进行打磨，然后使用划片机和裂片机进行切割和裂片，得到正面、侧面和背面均受环氧树脂层保护的具有扇出结构的单体芯片。/n