[发明专利]图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910824707.7 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110556392B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 胡杏;刘天建;贺吉伟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，在所述衬底中位于转移区的两侧分别设置有感光区和读取区；刻蚀去除部分厚度的所述转移区，使剩余的所述转移区在所述厚度方向上低于浅沟道隔离区；去除所述介质层；形成多晶硅层，所述多晶硅层填充于相邻的所述浅沟道隔离区之间。在传统的闪存工艺的基础上，刻蚀去除部分厚度的所述转移区，打通所述感光区到读取区的通道，不再被传统的闪存工艺浅沟道隔离断开，通过多晶硅层实现图像传感器中感光区的电荷向读取区的转移，从而正确识别光信号强度。本发明提供的图像传感器，通过多晶硅层实现图像传感器中感光区的电荷向读取区的转移，提高了图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的制作方法，包括：/n提供一衬底，所述衬底上设置有介质层，所述衬底和介质层中周期分布有间隔设置的浅沟道隔离区和转移区，所述浅沟道隔离区和转移区均沿厚度方向从所述衬底中延伸至所述介质层，在所述衬底中位于所述转移区的两侧分别设置有感光区和读取区；/n刻蚀去除部分厚度的所述转移区，使剩余的所述转移区在所述厚度方向上低于所述浅沟道隔离区；/n去除所述介质层；/n形成多晶硅层，所述多晶硅层填充于相邻的所述浅沟道隔离区之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
