[发明专利]一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法在审
| 申请号： | 201910824773.4 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110681624A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;魏汝省;李斌;王英民;何超;靳霄曦;毛开礼;侯晓蕊;王程;马康夫 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B3/12;B08B3/08;B08B7/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 14109 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，包括以下步骤：1）氧化去除表面的有机沾污：用超纯水冲洗碳化硅单晶抛光片；在紫外光照射下，使用O | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 抛光片 超纯水 双氧水 混合溶液中 浸入 清洗 超声波振荡清洗 去除 冲洗 表面形成钝化层 氨水 工艺重复性 规模化生产 紫外光照射 金属沾污 微小颗粒 漂洗 氢氟酸 再使用 衬底 沾污 盐酸 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）氧化去除表面的有机沾污：/n首先，用超纯水冲洗碳化硅单晶抛光片；/n然后，在紫外光照射下，使用产生的O
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