[发明专利]芯片的键合方法及系统有效
| 申请号： | 201910825436.7 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110364442B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇辉;唐世弋 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宏婧<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片的键合方法及系统，首先获取若干晶圆的良率，然后将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合，或者将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，挑出良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合，而在剩余的所述晶圆中，将良率较大的作为衬底晶圆，良率较小的作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，本发明将良率较高的晶圆进行晶圆级键合从而提高了键合的产率，将良率较低的晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，可以剔除部分不良芯片，从而提高了最终键合芯片的良率，从而降低了产品的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 键合 良率 晶圆级 衬底 匹配 单个芯片 芯片 划片 不良芯片 键合芯片 制造成本 产率 成键 剔除 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的键合方法，其特征在于，包括：/n获取若干晶圆的良率；/n将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合；/n在剩余的所述晶圆中，将良率大于第二设定值的晶圆作为衬底晶圆，良率小于或等于所述第二设定值的晶圆作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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