[发明专利]一种使用感光性聚硅氧烷制作图形化蓝宝石衬底的方法在审
| 申请号： | 201910827871.3 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110752148A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李彬彬;霍曜;李瑞评;陈铭欣 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/86;H01L33/20 |
| 代理公司： | 11310 北京立成智业专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 奚益民 |
| 地址： | 362411 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用感光性聚硅氧烷制作图形化蓝宝石衬底的方法，包括以下步骤：将感光性聚硅氧烷涂覆在蓝宝石衬底的表面上，使在蓝宝石衬底的表面上形成一层均匀的聚硅氧烷膜；通过曝光机对聚硅氧烷膜进行曝光处理；将曝光处理后的蓝宝石衬底送入显影设备，显影设备中的显影剂会将曝光处理后的聚硅氧烷膜的曝光区域进行移除，以在蓝宝石衬底的表面显现出聚硅氧烷PSS图形；将显影后蓝宝石衬底进行加热，并对显影后的聚硅氧烷PSS图形进行固化，以获得氧化硅PSS图形的蓝宝石衬底。采用上述技术方案后，使得在整个图形化制作过程只需光刻一步，大大减少氧化硅PSS图形的制作流程的同时提升氧化硅PSS图形的控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 蓝宝石 聚硅氧烷 聚硅氧烷膜 曝光处理 氧化硅 显影设备 感光性 显影 图形化蓝宝石 控制能力 曝光区域 制作过程 曝光机 图形化 显影剂 光刻 涂覆 移除 固化 加热 制作 送入 | ||
【主权项】：
1.一种使用感光性聚硅氧烷制作图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)、将感光性聚硅氧烷涂覆在蓝宝石衬底的表面上，使在蓝宝石衬底的表面上形成一层均匀的聚硅氧烷膜；/n2)、通过曝光机对聚硅氧烷膜进行曝光处理；/n3)、将曝光处理后的蓝宝石衬底送入显影设备，显影设备中的显影剂会将曝光处理后的聚硅氧烷膜的曝光区域进行移除，以在蓝宝石衬底的表面显现出聚硅氧烷PSS图形；/n4)、将显影后蓝宝石衬底进行加热，并对显影后的聚硅氧烷PSS图形进行固化，以获得氧化硅PSS图形的蓝宝石衬底。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
