[发明专利]一种半导体处理设备及腔室间传送口结构在审
| 申请号： | 201910828261.5 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447548A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 马冬叶 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;周乃鑫 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体处理设备及腔室间传送口结构，通过对腔室间传送口结构进行改进，同时在传送口的衬垫组件上设置阀门和遮挡片，阀门保证了处理腔的结构密封，遮挡片既实现了传送口区域与处理腔区域的隔离，防止颗粒物沉积在传送口区域，又实现了传送口与区域与处理腔区域的连通，便于对传送口区域进行清洁，去除颗粒物，并且在遮挡片、衬垫组件和阀门上都设置防腐涂层，大大提高了腔室间传送口结构的防腐性能，提高了使用寿命。本发明大大减少了腔室间传送口区域的颗粒物数量，从而降低了晶圆在通过传送口区域时被污染的几率，提高了晶圆良率，降低了晶圆缺陷，同时由于腔室间传送口结构的寿命提高，无需频繁更换，也提高了半导体处理设备的运行速率和吞吐量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 处理 设备 腔室间 传送 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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