[发明专利]Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910828785.4 申请日: 2019-09-03
公开(公告)号: CN110729400B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 徐明;徐萌;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 李佑宏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了Ti‑Ga‑Sb相变材料、相变存储器及Ti‑Ga‑Sb相变材料的制备方法,属于相变存储材料领域,所述Ti‑Ga‑Sb相变材料为Ti,Sb,Ga元素组成的化学通式为TixGaySb100‑x‑y的材料,其通过将Sb作为基体材料,并向基体材料中掺杂Ti、Ga后得到;其中,x,y分别为原子个数百分比,且0<x<50,0<y<50,0<x+y<60。本发明的Ti‑Ga‑Sb相变材料,其制备方法简便,制备得到的Ti‑Ga‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言,具有较小的相变密度差异,并能在保证相变材料热稳定性的同时大幅提升相变材料的结晶效率,保证相变材料信息数据存储的稳定性和准确性,提升相变存储器信息存储的效率,在延长相变存储器使用寿命的同时,大大提升了相变存储器的功能性。
搜索关键词: ti ga sb 相变 材料 存储器 制备 方法
【主权项】:
1.一种Ti-Ga-Sb相变材料,其特征在于,所述Ti-Ga-Sb相变材料为Ti,Sb,Ga元素组成的化学通式为Ti
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910828785.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top