[发明专利]一种AC-DC低压续流二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201910829370.9 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110444604B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王坚红;徐明成;陈锋;黄国军;王锋 | 申请（专利权）人： | 常山弘远电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 324200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AC‑DC低压续流二极管芯片结构，涉及半导体器件技术领域。本发明中：上掺杂层和中间本体层之间设有连续闭环沟槽；沟槽的表面依次覆盖有玻璃层和氧化层；上电极层位于连续闭环沟槽中间的上方；下电极层位于下掺杂层的外侧；氧化层延伸至上掺杂层的外侧芯片分离区域；芯片本体掺杂有金属原子。本发明设立了预留分离单元芯片的切割区域，避免分离单元芯片直接或间接作用在钝化保护区域，从而能够提高产品的可靠性；干法开槽加湿法开槽相结合的方法在保证一定沟深的前提下减小沟宽，从而增大上电极层接触面积，减少芯片的面积与成本；玻璃层加氧化层的钝化保护层在满足低压的应用要求同时降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ac dc 低压 二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种AC‑DC低压续流二极管芯片结构，包括芯片本体、上电极层(101)和下电极层(106)；其特征在于：所述芯片本体自上向下依次为上掺杂层(102)、中间本体层(103)和下掺杂层(104)；所述芯片本体采用P+/N/N+本体或N+/N/P+本体；所述芯片本体的外侧为芯片分离区域(108)；所述上掺杂层(102)和中间本体层(103)之间设有一连续闭环沟槽(107)；所述连续闭环沟槽(107)的表面依次覆盖有玻璃层(111)和氧化层(112)；所述玻璃层(111)和氧化层(112)构成钝化层；所述上电极层(101)位于连续闭环沟槽(107)中间的上方；所述下电极层(106)位于下掺杂层(104)的外侧；所述氧化层(112)延伸至上掺杂层(102)的外侧芯片分离区域(108)；所述上掺杂层(102)、中间本体层(103)和下掺杂层(104)掺杂有金属原子(105)。
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