[发明专利]一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910829526.3 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112444373A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 损耗 测量方法 测量 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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