[发明专利]晶片涂布制作工艺在审
| 申请号： | 201910831370.2 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112447549A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈有证;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05B1/02;H05B3/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶片涂布制作工艺。首先，放置一晶片于支撑柱上，且晶片与位于晶片下方的一加热盘之间具有一间距，使晶片能以一第一温度涂布。接着，判定一目标晶片制作工艺温度与第一温度的差异，以改变晶片的一涂布温度，其中当目标晶片制作工艺温度大于第一温度时，直接加热加热盘至目标晶片制作工艺温度；当目标晶片制作工艺温度小于第一温度但大于一最低涂布温度时，仅增加晶片与加热盘之间的间距，其中最低涂布温度为在没有冷却加热盘且晶片与加热盘之间具有一最大间距时的温度；当目标晶片制作工艺温度小于最低涂布温度时，增加晶片与加热盘之间的间距且冷却加热盘。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
