[发明专利]一种控制编程噪声的方法和装置在审
| 申请号： | 201910832922.1 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110718252A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李琪 | 申请（专利权）人： | 合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/04 |
| 代理公司： | 11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种控制编程噪声的方法。所述方法包括：对所述Nand flash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加第一预设电压，使得选通管导通，在选通管导通的情况下，对Nand flash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压，其中，通过施加第二预设电压，使得Nand flash存储器中存储链的沟道电压从0变为第一初始电压。本发明在预备编程的阶段使得不需要编程的存储链的沟道电压变高，就可以使得在编程的过程中不需要编程的存储单元的浮栅与沟道之间的电压差变得更低，消除了编程过程中引入的编程噪声，提高了Nand Flash的读取精度。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 预设电压 选通管 存储 沟道电压 施加 导通 位线 噪声 读取 编程过程 初始电压 存储单元 电压差 浮栅 沟道 预备 引入 | ||
【主权项】：
1.一种控制编程噪声的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：寄存器和存储单元，所述寄存器为临时存储所需编程数据的器件，所述方法包括：/n在所需编程的数据已经存储在所述寄存器中，预备写入所述存储单元的情况下：/n对所述Nand flash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加第一预设电压，使得存储链与其所处的位线之间的选通管导通；/n在存储链与其所处的位线之间的选通管导通的情况下，对所述Nand flash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压；/n其中，通过施加所述第二预设电压，使得所述Nand flash存储器中存储链的沟道电压从0变为第一初始电压。/n
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