[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201910833387.1 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111697001B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 森健雄;寺田隆司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：第一互连层；第二互连层；第一存储器导柱，其延伸穿过所述第一互连层；第二存储器导柱，其延伸穿过所述第二互连层；第一膜，其提供于所述第一互连层上方，具有对应于所述第一互连层的平面形状且在所述第一方向上延伸；以及第二膜，其提供于所述第二互连层上方，在所述第二方向上与所述第一膜分开，具有对应于所述第二互连层的平面形状且在所述第一方向上延伸。所述第一和第二膜具有高于氧化硅膜的压缩应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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