[发明专利]三维半导体存储器装置及其制造方法、集成电路装置

摘要

提供了集成电路装置及其形成方法。装置可包括：衬底，其包括单元区域和延伸区域；以及导电层，其在竖直方向上堆叠在单元区域上。导电层可延伸到延伸区域上并且可在延伸区域上具有阶梯结构。装置还可包括：竖直结构，其位于衬底上。每个竖直结构可在竖直方向上延伸，并且竖直结构可包括在单元区域上的第一竖直结构和在延伸区域上的第二竖直结构。第一竖直结构可延伸穿过导电层并且可包括第一沟道层，第二竖直结构可处于阶梯结构中并且可包括第二沟道层，并且第二沟道层可在竖直方向上与衬底间隔开。