[发明专利]一种IGBT功率器件有效
| 申请号： | 201910836723.8 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110534566B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 章文通;杨昆;何俊卿;王睿;乔明;王卓;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过把具有高深宽比的超结区引入漂移区表面或者体内，这样就能在开态时利用超结的相互耗尽做到减少漂移区少子的存储效应，在关断的时候就会有更少的载流子抽取，那么就缩短了关断时间，减少了关断损耗，若是将超结做在表面，那么平面栅就变为了鳍型栅，鳍型栅增加了栅极对器件沟道的控制，增加了器件的跨导和沟道电荷量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT功率器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、埋氧化层(2)、SOI层(4)和鳍型栅结构；/nSOI层(4)中具有漂移区(3)、漏阱区(5)、源阱区(14)、第一导电类型重掺杂漏区(6)、第二导电类型重掺杂漏区(7)、第一导电类型重掺杂源区(12)、第二导电类型重掺杂源区(13)、第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)；所述SOI层4为凸台状，其包括凸台基部和凸台部；/n漂移区(3)位于凸台基部，漏阱区(5)位于漂移区(3)一侧的凸台基部中，漏阱区(5)的一侧面与漂移区(3)的一侧面接触，第一导电类型重掺杂漏区(6)和第二导电类型重掺杂漏区(7)侧面相互接触的位于漏阱区(5)的上端中远离漂移区(3)的一侧；/n源阱区(14)位于漂移区(3)另一侧的凸台基部和凸台部中，所述源阱区(14)的一侧面与漂移区(3)的另一侧面接触，第一导电类型重掺杂源区(12)和第二导电类型重掺杂源区(13)侧面相互接触的位于源阱区(14)的上端中远离漂移区(3)的一侧；/n第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)侧面相互接触的位于部分漂移区(3)上的凸台部，且位于源阱区(14)凸台部的一侧，第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)的接触面与第一导电类型重掺杂源区(12)和第二导电类型重掺杂源区(13)的接触面垂直，第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)具有高深宽比；/n鳍型栅结构位于源阱区(14)上。/n
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