[发明专利]气相生长装置及外延晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201910837131.8 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110970343A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 吉冈翔平 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/02;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气相生长装置以及外延晶片制造方法，其能够抑制由半导体基板与基座间存在的气体造成的半导体基板在基座上的横向打滑。气相生长装置（1）具备：基座（3）；零件（4），其支撑基座（3）；升降杆（5），其在基座3上而独立于基座3进行升降；升降杆支撑件（7），其连接于促动器（6），并具有托起升降杆（5）的功能。升降杆5包括长升降杆（5a）与短升降杆（5b），当支撑半导体基板W时，半导体基板（W）略微倾斜。该倾斜角度优选为0.1°以上且不足10°，更优选为0.1°以上且不足1°。由此，当半导体基板（W）与基座（3）接触时，能够排出两者间隙中存在的气体，并能够抑制半导体基板（W）在基座（3）上的横向打滑。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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