[发明专利]一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备

摘要

本发明公开了一种CMOS晶体管，包括衬底，以及在衬底上形成的PMOS晶体管和NMOS晶体管；其中，PMOS晶体管和NMOS晶体管均包括：依次叠置在衬底上的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；绕沟道区的至少部分外围形成的栅堆叠；叠置在第一源/漏区和第二源/漏区上的掺杂层，依次叠置在掺杂层上的金属硅化物层和第一金属层，以及形成在第一金属层两侧的第二金属层。本发明提供的CMOS晶体管在对应的第一源/漏区和第二源/漏区表面均叠置有掺杂层，其中，NMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的P或As，PMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的B，能够有效降低源漏接触电阻，从而提高器件性能。同时，本发明还提供一种CMOS晶体管的制备方法，以及一种电子设备。

主权项

1.一种CMOS晶体管，其特征在于，包括衬底，以及在所述衬底上形成的PMOS晶体管和NMOS晶体管；/n其中，所述PMOS晶体管和NMOS晶体管均包括：/n依次叠置在所述衬底上的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；/n绕所述沟道区的至少部分外围形成的栅堆叠；/n叠置在所述第一源/漏区和第二源/漏区上的掺杂层，依次叠置在所述掺杂层上的金属硅化物层和第一金属层，以及形成在所述第一金属层两侧的第二金属层。/n