[发明专利]一种恒流器件及其制造方法

摘要

一种恒流器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。本发明在P型衬底上通过扩散或外延的方式形成两个独立的第一N型区和第二N型区，并在第一N型区内设置第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区形成恒流二极管结构，在第二N型区内设置第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成纵向PNP三极管结构。恒流二极管的恒定电流为PNP三极管基区提供电流，使整个恒流器件总的输出电流变为传统恒流二极管的(1+β)倍，器件单位面积电流大幅提升，节约了芯片面积与成本；PNP三极管放大系数β的正温度系数补偿了恒流二极管恒定电流的负温度系数，提升器件温度稳定性；P型衬底采用轻掺杂材料时提高了PNP三极管与恒流二极管的击穿电压，拓宽了本发明的工作电压范围。

主权项

1.一种恒流器件，包括P型衬底和设置在所述P型衬底下方的第一金属电极；/n其特征在于，所述恒流器件还包括：/n设置在所述P型衬底内并位于所述P型衬底顶部两侧的第一N型区和第二N型区；所述第一N型区和第二N型区均为N型扩散阱区，或所述第一N型区和第二N型区均为N型外延层；/n设置在所述第一N型区和第二N型区之间且与分别所述第一N型区和第二N型区相连的P型隔离区；/n设置在所述第一N型区内的第一P型重掺杂区，和设置在所述第一N型区内且位于所述第一P型重掺杂区两侧的第一N型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区均位于所述第一N型区顶部；/n设置在所述第二N型区内且位于所述第二N型区顶部的第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且所述第二N型重掺杂区位于所述第二P型重掺杂区和第一N型区之间；/n设置在所述恒流器件上表面的氧化层；/n设置在所述第一P型重掺杂区远离所述第二N型区一侧的第一N型重掺杂区上表面和所述第一P型重掺杂区上表面的第二金属电极，所述第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区上的第二金属电极穿过所述氧化层并相互连接；/n设置在所述第一P型重掺杂区靠近所述第二N型区一侧的第一N型重掺杂区上表面和所述第二N型重掺杂区上表面的第三金属电极，所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区上表面的第三金属电极穿过所述氧化层并相互连接；/n设置在所述第二P型重掺杂区上表面且穿过所述氧化层的第四金属电极。/n