[发明专利]一种提高温度差的光热电转换器件在审
申请号: | 201910839667.3 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN110444655A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 金华伏安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32;H01L35/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 322200 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高温度差的光热电转换器件,包括基底层,基底层分为左部、右部,并且左部的高度高于右部的高度;右部的上方设置有第一电极层,左部的上表面、左部与右部相临的侧表面、第一电极层的上表面均设置有热电转换层,热电转换层位于第一电极层的部分的上表面设置有阻挡层,热电转换层位于左部的部分的上表面、阻挡层的上表面均设置有第二电极层,第二电极层的上方设置有二硫化钼层,二硫化钼层的上方设置有贵金属颗粒层,金属颗粒层的上表面设置有第三电极层;该提高温度差的光热电转换器件,通过设置光‑热‑电的转化结构,能够将光能转换成热能,然后将热能转换为电能,从而使得所提供的电流更加的持久稳定。 | ||
搜索关键词: | 上表面 左部 右部 热电转换层 第一电极 转换器件 光热电 温度差 二硫化钼层 第二电极 基底层 阻挡层 贵金属颗粒 金属颗粒层 第三电极 光能转换 热能转换 侧表面 转化 | ||
【主权项】:
1.一种提高温度差的光热电转换器件,其特征在于:包括基底层(1),所述基底层(1)分为左部(1‑1)、右部(1‑2),并且左部(1‑1)的高度高于右部(1‑2)的高度;所述右部(1‑2)的上方设置有第一电极层(2),所述左部(1‑1)的上表面、左部(1‑1)与右部(1‑2)相临的侧表面、第一电极层(2)的上表面均设置有热电转换层(3),所述热电转换层(3)位于第一电极层(2)的部分的上表面设置有阻挡层(4),所述热电转换层(3)位于左部(1‑1)的部分的上表面、所述阻挡层(4)的上表面均设置有第二电极层(5),所述第二电极层(5)的上方设置有二硫化钼层(6),所述二硫化钼层(6)的上方设置有贵金属颗粒层(7),所述金属颗粒层(7)的上表面设置有第三电极层(8)。
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