[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

主权项

1.一种半导体装置，包括：/n电容元件和晶体管，/n所述晶体管具有：第一氧化物半导体膜、所述第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、所述栅极绝缘膜上的栅电极、与所述第一氧化物半导体膜电连接的源电极、以及与所述第一氧化物半导体膜电连接的漏电极，/n所述电容元件具有：第二氧化物半导体膜、以及具有与所述第二氧化物半导体膜重叠的区域的具有透光性的导电性材料，/n所述电容元件具有不与所述栅极绝缘膜重叠的区域，/n所述具有透光性的导电性材料与所述源电极或所述漏电极中的一个电连接，/n所述第一氧化物半导体膜具有：沟道形成区域、位于所述沟道形成区域的外侧的第一区域、以及位于所述第一区域的外侧的第二区域，/n所述第一区域与所述栅极绝缘膜重叠，且不与所述栅电极重叠，/n所述第二区域与所述栅极绝缘膜、所述栅电极、所述源电极及所述漏电极均不重叠，/n所述第一区域的载流子密度及所述第二区域的载流子密度分别比所述沟道形成区域的载流子密度高。/n