[发明专利]缺陷检测方法和装置有效
| 申请号： | 201910841915.8 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110556306B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 秦明;侍乐媛;高思阳 | 申请（专利权）人： | 北京施达优技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/204;G01N23/2206;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 周文 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种缺陷检测方法和装置，该方法包括：获取待检测区域内的可疑缺陷点；在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；对所述检测窗口实施电子束检测。本实施例采用比平铺检测窗口设置更少数量的检测窗口，且较少数量的检测窗口能够覆盖全部可疑缺陷点，检测窗口越少采用电子束检测缺陷点所耗费的时间越少，解决了现有技术采用平铺设置检测窗口耗费时间较多的技术问题，达到了减少耗费时间的技术方案。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取待检测区域内的可疑缺陷点；/n在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；/n对所述检测窗口实施电子束检测。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
