[发明专利]一种用于晶体生长的坩埚底座装置在审
| 申请号： | 201910841934.0 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110512276A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈强;邓先亮;赵言;王宗会 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于晶体生长的坩埚底座装置，包括:底座本体，所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触；连接机构，配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。根据本发明提供的一种用于晶体生长的坩埚底座装置，通过使底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触，减少坩埚底座装置与坩埚的接触面积，从而减少了通过固固传热的方式散失的热量，提高了热场的保温性，减少电能的消耗，延长了设备的使用寿命，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 底座本体 坩埚 坩埚底座 晶体生长 上表面 传热 连接机构 使用寿命 保温性 热场 生产成本 消耗 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶体生长的坩埚底座装置，其特征在于，包括：/n底座本体，所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触；/n连接机构，配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。/n
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