[发明专利]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统在审
| 申请号： | 201910842219.9 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110487609A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王文杰 | 申请（专利权）人： | 仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;C23C14/04;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/52 |
| 代理公司： | 33253 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张抗震<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区亚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部法兰刀口密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部法兰刀口密封连接。本发明公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。 | ||
| 搜索关键词： | 超高真空 超高真空腔 高真空腔体 刀口密封 电极生长 刻蚀电极 生长系统 插板阀 传样杆 进样室 法兰 薄膜 真空测量系统 真空获得系统 薄膜样品 测量材料 输运特性 原位生长 电极 刻蚀 生长 加工 | ||
【主权项】：
1.一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，包括：/n快速进样室，所述快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接；/n电极生长室，所述电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述超高真空腔体部远离所述第一超高真空插板阀的一端与所述第一真空获得系统刀口法兰密封连接，所述第一真空测量系统安装于所述超高真空腔体部的侧端并且与所述超高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述第一真空获得系统用于获得真空状态；/n支架系统和电控系统，所述快速进样室和所述电极生长室固定安装于所述支架系统的上端，所述电控系统位于所述支架系统的侧端，所述电控系统包括控制电源。/n
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