[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910842922.X | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110534427B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀方法，包括：第一步骤：初始化；第二步骤：根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式，并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率；第三步骤：获取刻蚀机台的实时刻蚀速率；第四步骤：比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小；第五步骤：若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率，调用第一暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率，调用第二暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率，调用所述刻蚀工艺程式。通过比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小，刻蚀机台对应执行不同的工序，实现了刻蚀机台的实时刻蚀速率的主动干预和动态调整。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：/n第一步骤：初始化刻蚀机台的刻蚀参数；/n第二步骤：根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式，并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率，其中，所述工艺程式包括：刻蚀工艺程式、第一暖机工艺程式及第二暖机工艺程式；/n第三步骤：获取刻蚀机台的实时刻蚀速率；/n第四步骤：比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小；/n第五步骤：若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率，调用第一暖机工艺程式以执行第一暖机工艺，并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率，调用第二暖机工艺程式以执行第二暖机工艺，并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率，调用所述刻蚀工艺程式以执行刻蚀工艺。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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