[发明专利]刻蚀结构的形貌分析方法及装置有效
| 申请号： | 201910843115.X | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110553601B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王凡 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01B11/24 | 分类号： | G01B11/24 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种刻蚀结构的形貌分析方法及装置。所述刻蚀结构的形貌分析方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有刻蚀结构；填充满所述刻蚀结构，形成填充结构；去除所述衬底，暴露所述填充结构；分析所述填充结构，获取所述刻蚀结构的形貌。本发明简化了刻蚀结构的形貌分析步骤，提高了刻蚀结构形貌分析的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 结构 形貌 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀结构的形貌分析方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一衬底，所述衬底内具有刻蚀结构；/n填充满所述刻蚀结构，形成填充结构；/n去除所述衬底，暴露所述填充结构；/n分析所述填充结构，获取所述刻蚀结构的形貌特征。/n
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